首页 > 商品目录 > > > > AUIRFR8403TRL代替型号比较

AUIRFR8403TRL  与  IPD036N04L G  区别

型号 AUIRFR8403TRL IPD036N04L G
唯样编号 A-AUIRFR8403TRL A-IPD036N04L G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.1mΩ@76A,10V 3.6mΩ
上升时间 - 5.4ns
产品特性 车规 -
Qg-栅极电荷 - 59nC
栅极电压Vgs ±20V 10V
正向跨导 - 最小值 - 85S
封装/外壳 DPAK -
连续漏极电流Id 100A(Tc) 90A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 4.5V,10V
下降时间 - 6ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 100µA 2V @ 45µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3171pF @ 25V 6300pF @ 20V
高度 - 2.3mm
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 99W(Tc) 94W
典型关闭延迟时间 - 37ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
典型接通延迟时间 - 9.3ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 99nC @ 10V 78nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AUIRFR8403TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40V 100A(Tc) ±20V 99W(Tc) 3.1mΩ@76A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 车规

暂无价格 0 当前型号
AOD240 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 40V 20V 70A 150W 3mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AOD240 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 40V 20V 70A 150W 3mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AOD240 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 40V 20V 70A 150W 3mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPD036N04L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD036N04LGBTMA1_-55°C~175°C(TJ) 40V 90A 3.6mΩ 10V 94W N-Channel

暂无价格 0 对比
NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO252 车规

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售